Смотрят также




Опорные источники с напряжением запрещнной зоны


ИОНы данного типа неприменимы в маломощных схемах и устройствах с низким напряжением питания. Для них предпочтительнее использовать стабилитроны с напряжением запрещенной зоны. В русскоязычной литературе они также называются источниками опорного напряжения, равного ширине. Рассматривается возможность построения источников опорного напряжения (ИОН), выходное напряжение которых может относительно произвольно регулироваться и быть как выше, так и ниже ширины запрещенной зоны кремния.

Для этих целей используется дифференциальный каскад, к одному из. напряжения. Источники опорного напряжения (ИОН) предназначены для формирования прецизи- онного малошумящего напряжения извест- . личной степенью интеграции на одном кри- сталле с современными АЦП/ЦАП, является метод, основанный на ширине запрещенной зоны кремния.

Существует.

Имя required Почта не публикуется required Сайт. Основные идеи, лежащие в основе резонансного режима работы Откуда получаем интересующие нас выражения для расчета численных значений основных электрических параметров ИОН:.

Опорные источники с напряжением запрещнной зоны

В рубрике Силовая электроника Метки: Эквивалентная электрическая схема модернизированного ИОН. Управление тиристорами в схемах на микроконтроллере 9.

Опорные источники с напряжением запрещнной зоны

Эквивалентная электрическая схема модернизированного ИОН. Далее нам остается только преобразовать выходной ток в напряжение и сложить его с напряжением U B 3 Классическая схема такого ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника приведена на рис.

Часть схемы , обведенная пунктиром, выполняет функцию стабилитрона.

Здесь заменена часть схемы , обведенная пунктиром в схеме рис. Почта не публикуется required. Увеличение мощности стабилизированных источников

Увеличение мощности стабилизированных источников Имя required Почта не публикуется required Сайт. Эквивалентная электрическая схема токового зеркала с двумя транзисторами, работающими с разной плотностью тока.

Трансформаторы управления базой и затвором Эквивалентная электрическая схема токового зеркала с двумя транзисторами, работающими с разной плотностью тока.

Часть схемы , обведенная пунктиром, выполняет функцию стабилитрона. Эквивалентная электрическая схема токового зеркала представлена на рис. Далее нам остается только преобразовать выходной ток в напряжение и сложить его с напряжением U B 3 Классическая схема такого ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника приведена на рис.

Почта не публикуется required. Оставить комментарий Нажмите сюда для отмены комментария. Но так как коллекторный ток Т1 всегда как минимум в 10 раз больше этой величины, то он также пропорционален температуре благодаря работе ОУ напряжение на коллекторах Т1 и Т2 одинаковое.

Увеличение мощности стабилизированных источников

Управление тиристорами в схемах на микроконтроллере 9. Оказывается, что температурный коэффициент этого напряжения будет нулевым, когда суммарное напряжение равно напряжению запрещенной зоны кремния при температуре абсолютного нуля, то есть примерно 1,22 В.

Далее нам остается только преобразовать выходной ток в напряжение и сложить его с напряжением U B 3 Классическая схема такого ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника приведена на рис. Основные идеи, лежащие в основе резонансного режима работы В рубрике Силовая электроника Метки: Измерение напряжения, внутреннего сопротивления и тока короткого замыкания Оставить комментарий Нажмите сюда для отмены комментария.

Оставить комментарий Нажмите сюда для отмены комментария. Возможность оставить trackback со своего сайта отсутствует.

Эквивалентная электрическая схема токового зеркала с двумя транзисторами, работающими с разной плотностью тока. Вы можете подписаться на новые комментарии к этой записи по RSS 2. Часть схемы , обведенная пунктиром, выполняет функцию стабилитрона. Измерение напряжения, внутреннего сопротивления и тока короткого замыкания Рассмотрим работу такого элемента, называемого токовым зеркалом с двумя транзисторами, работающими с разной плотностью эмиттерного тока обычное отношение плотности 1: Увеличение мощности стабилизированных источников

Возможность оставить trackback со своего сайта отсутствует. Двухцветные светодиоды на микроконтроллере 8. Оказывается, что температурный коэффициент этого напряжения будет нулевым, когда суммарное напряжение равно напряжению запрещенной зоны кремния при температуре абсолютного нуля, то есть примерно 1,22 В.

Почта не публикуется required.

Двухцветные светодиоды на микроконтроллере 8. Возможность оставить trackback со своего сайта отсутствует. Вы можете оставить комментарий к записе. Управление тиристорами в схемах на микроконтроллере 9. Откуда получаем интересующие нас выражения для расчета численных значений основных электрических параметров ИОН:.

Но так как коллекторный ток Т1 всегда как минимум в 10 раз больше этой величины, то он также пропорционален температуре благодаря работе ОУ напряжение на коллекторах Т1 и Т2 одинаковое. Трансформаторы управления базой и затвором Двухцветные светодиоды на микроконтроллере 8.

Классическая схема ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника. Измерение напряжения, внутреннего сопротивления и тока короткого замыкания



Порно видео мать застала сына hd
Большой член в дырке стены
Занятие сексом видео наглядное
Фантазия секс раб
Домашний групповой секс
Читать далее...